Transporte em nanoestruturas semicondutoras: isolantes topológicos e efeito hall d...
Processo: | 02/10711-7 |
Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil |
Data de Início da vigência: | 01 de março de 2003 |
Data de Término da vigência: | 31 de agosto de 2003 |
Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
Pesquisador responsável: | José Roberto Leite |
Beneficiário: | José Roberto Leite |
Pesquisador visitante: | Ivan Costa da Cunha Lima |
Instituição do Pesquisador Visitante: | Universidade do Estado do Rio de Janeiro (UERJ). Instituto de Física (IF), Brasil |
Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
Vinculado ao auxílio: | 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM |
Assunto(s): | Spintrônica Semicondutores magnéticos |
Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Semicondutores Magneticos | Spintronica |
Resumo
Os trabalhos serão centrados no estudo das propriedades eletrônicas, magnéticas, de transporte e ópticas de nanoestruturas semicondutoras (poços quânticos, multicamadas, super-redes e dispositivos de dupla barreira) com base em semicondutores magnéticos diluídos do tipo III(Mn)V, em especial compostos Ga(Mn)As e Ga(Mn)N. As propriedades deverão ser estudadas teoricamente com base em cálculos de estrutura eletrônica realistas (método k.p de Kohn-Luttinger), utilizando técnicas de muitos corpos e simulação Monte Carlo. Ao mesmo tempo será feito o acompanhamento de experiências medindo essas propriedades em amostras disponíveis, tanto crescidas nos laboratórios integrados às pesquisas do LNMS, quanto obtidas no contexto de cooperações internacionais. (AU)
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