Alexander Germanovich Milekhin | Institute of Semiconductor Physics - Rússia

• Processo: 01/13438-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 04 de abril de 2002
• Data de Término da vigência: 03 de junho de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Claudio Galzerani
• Beneficiário: Jose Claudio Galzerani
• Pesquisador visitante: Alexander Germanovich Milekhin
• Instituição do Pesquisador Visitante: Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Rússia
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Infravermelho Pontos quânticos Fônons Plasmons Espectroscopia Raman Super-redes Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fonon | Infravermelho | Plasmon | Ponto Quantico | Raman | Superrede

Resumo

O plano consiste de duas partes. A primeira refere-se à investigação do espectro vibracional de estruturas com pontos quânticos semicondutores auto-organizados de InAs e de AlAs, preparados na instituição de origem do pesquisador visitante. A espectroscopia de infravermelho (FTIR) e a espectroscopia Raman serão utilizadas nesta investigação. A segunda parte será devotada ao estudo da anisotropia dos fônons ópticos e dos modos acoplados plasmon-fonon LO em super-redes semicondutoras dopadas ou não. Neste caso, super-redes de camadas ultra-finas de GaAs/AlAs e super-redes dopadas de GaAs/AlGaAs serão analisadas com as mesmas duas técnicas espectroscópicas acima; a técnica de micro-Raman deverá ser usada para analisar os modos a partir das superfícies laterais das super-redes. (AU)