Friedhelm Bechstedt | Universitat Jena - Alemanha

• Processo: 98/15105-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 12 de fevereiro de 1999
• Data de Término da vigência: 23 de fevereiro de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: José Roberto Leite
• Pesquisador visitante: Friedhelm Bechstedt
• Instituição do Pesquisador Visitante: Friedrich Schiller University Jena, Alemanha
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Propriedades eletrônicas Nitretos Fônons Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Estrutura Eletronica | Fonons | Ligas Semicondutoras | Nitretos | Superficie

Resumo

A visita do Prof. Bechstedt ao LNMS dá continuidade à projeto de colaboração científica informal sobre "Propriedades Eletrônicas e Vibracionais de Nitretos do grupo III e de suas Ligas". Os seguintes tópicos serão discutidos: i) Propriedades estruturais e eletrônicas das superfícies (100), (110) e (111) do GaN cúbico; ii) Propriedades de defeitos e impurezas ao longo da série AlN, GaN e InN; iii) Propriedades vibracionais de GaN, InH e das ligas InxGa1-xN. (AU)