Jose luiz aarestrup ALVES | Univ federal São João DEL rei/ufsj - Brasil

• Processo: 95/03534-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
• Data de Início da vigência: 14 de janeiro de 1996
• Data de Término da vigência: 13 de junho de 1996
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: José Roberto Leite
• Pesquisador visitante: Jose Luiz Aarestrup Alves
• Instituição do Pesquisador Visitante: Universidade Federal de São João Del-Rei (UFSJ), Brasil
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Metais de transição Nitretos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento | Estrutura Eletronica | Impurezas | Metais De Transicao | Nitretos

Resumo

1. Utilização de métodos semi-empíricos e "AB Initio" para cálculos de energia total visando estudar possibilidades e mecanismos de crescimento de GaN em substratos de GaAs, GaP e SiC (estrutura cúbica). 2. Utilização do método "Full potential linearized augmented-plane-wave" para estudo de metais de transição do grupo 3d em GaN. Uso dos resultados para determinação do "band offset" em heteroestruturas de Ga1-xAlxN/GaN. (AU)