Edmundo Antonio Gutiérrez Dominguez | Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica - México

• Processo: 96/02205-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 05 de agosto de 1996
• Data de Término da vigência: 05 de setembro de 1996
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Pesquisador visitante: Edmundo Antonio Gutiérrez Dominguez
• Instituição do Pesquisador Visitante: Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE), México
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Baixa temperatura Técnicas de caracterização elétrica Transistores Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Baixa Temperatura | Caracterizacao Eletrica | Modelamento | Transistores Mos

Resumo

Nesta viagem serão executadas duas atividades principais: a) Apresentação de uma disciplina de pós-graduação intitulada "Modelamento de Transistores MOR em baixa temperatura" - PEE 844 no Departamento de Engenharia Eletrônica da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo; b) Realização de atividades de pesquisa no grupo SOI-CMOS do Laboratório de Sistemas Integráveis da EPUSP. Como atividades desta etapa temos: - Técnicas de extração de parâmetros elétricos de transistores MOS em baixa temperatura; - Análise dos resultados; - Programação de atividades conjuntas para dar continuidade ao trabalho iniciado nesta viagem. (AU)