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João Antonio Martino

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Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Iniciou suas atividades em microeletrônica em 1982 na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo onde tornou-se Mestre (1984), Doutor (1988) e Livre-Docente (1998) em Engenharia Elétrica (Microeletrônica). O pós-doutorado foi realizado em cooperação entre o IMEC (Interuniversity Microelectronic Center) na Universidade Católica de Leuven, Bélgica e a Universidade de São Paulo. Foi Professor Titular, Chefe do Departamento de Engenharia Elétrica e Coordenador dos Cursos de Engenharia Elétrica (Ênfases Eletrônica, Computadores e Telecomunicações) do Centro Universitário da FEI no período de 1996 a 2005. Implantou e coordenou do curso de mestrado em Engenharia Elétrica da FEI no período de 2005 a 2006. É Professor da Escola Politécnica desde 1992 e foi aprovado em primeiro lugar no concurso de Professor Titular do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos (PSI) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) em 2005. Foi o Chefe do Depto PSI/EPUSP (2009-2013) e Vice-Chefe (2007-2009). Foi Professor convidado da Universidade Católica de Leuven, Bélgica em 2003, 2008 e 2016. O seu campo de pesquisa em circuitos integrados inclui fabricação, caracterização elétrica e modelagem de dispositivos obtidos pelas tecnologias NMOS, CMOS e SOI CMOS com ênfase em transistores SOI avançados planares e de múltiplas portas (FinFET). Introduziu o estudo de dispositivos SOI no Brasil desde 1990, incluindo a proposta/fabricação de um novo transistor SOI (GC SOI MOSFET) para aplicações analógicas, seu estudo em altas e baixas temperaturas e seu uso em amplificadores operacionais. Coordenou e participou da equipe que fabricou o primeiro transistor 3D (FinFET) no Brasil em 2012. Na caracterização elétrica é dada ênfase especial ao estudo de dispositivos SOI em função da temperatura (80K a 700K) e sob a influência de radiação. Recentemente tem também estudado transistores avançados SOI (UTBB e 3D) e transistores de tunelamento (TFETs). É co-autor/co-editor de 8 livros. É autor e co-autor de mais de 500 publicações (sendo 375 artigos completos apresentados em congressos e 125 artigos completos publicados em revistas). Concluiu a orientação de 51 alunos de pós-graduação, sendo 32 mestrados e 19 doutorados. É Senior Member do IEEE e Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-Brasil desde 2007. Tornou-se Distinguished Lecturer da EDS-IEEE desde fevereiro de 2008. É pesquisador Nível 1A do CNPq. Coordenador do Centro de Treinamento de São Paulo (CT-SP) para formação de projetistas de circuitos integrados do programa CI-Brasil na Escola Politécnica da USP desde 2014. Foi eleito coordenador do Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Escola Politécnica da USP em 2017. Foi eleito e participa do comitê assessor de microeletrônica do CNPq (CA-ME) desde outubro de 2015. Recebeu o Prêmio Padre Roberto Landell de Moura em 2016 da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. (Fonte: Currículo Lattes)

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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.. 2018. Dissertação (Mestrado) - Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (15/25100-3)

MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.. 2018. Dissertação (Mestrado) - Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (15/25101-0)

SIVIERI, Victor de Bodt. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.. 2016. Dissertação (Mestrado) - Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (13/24472-9)

SASAKI, Katia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.. 2016. Tese (Doutorado) – Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (13/13690-5)

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