Somnath Bhattacharyya | Indian Institute Technology - Índia

• Processo: 03/01275-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 09 de agosto de 2003
• Data de Término da vigência: 09 de setembro de 2003
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Vitor Baranauskas
• Beneficiário: Vitor Baranauskas
• Pesquisador visitante: Somnath Bhattacharyya
• Instituição do Pesquisador Visitante: Indian Institute of Technology Bombay (IIT Bombay), Índia
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais nanoestruturados Diamante Silício Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Catodos Frios | Diamante Nanocristalino | Nanoestruturas De Diamante | Nanoestruturas De Silicio

Resumo

Serão realizados estudos da emissão de elétrons no vácuo por ação do campo elétrico (Field-Emission) na temperatura ambiente em estruturas de diamante nanocristalino dopadas com nitrogênio. Será proposto também o desenvolvimento de um modelo relacionado à condução intragranular que possa explicar a emissão de elétrons nestes materiais. Serão também realizadas medidas de emissão de elétrons em nanotubos e diamante crescido em alta pressão, para efeitos de comparação. Adicionalmente serão realizados estudos de emissão em nanoestruturas de silício em forma de nanofios. (AU)