Victor Ovsyuk | Semiconductor Physics Institute - União Soviética

• Processo: 94/00072-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 10 de fevereiro de 1994
• Data de Término da vigência: 09 de março de 1994
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Pierre Basmaji
• Beneficiário: Pierre Basmaji
• Pesquisador visitante: Victor Ovsyuk
• Instituição do Pesquisador Visitante: Lithuanian Academy of Sciences (LAS), Lituânia
• Instituição Sede: Instituto de Física e Química de São Carlos (IFQSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Espectroscopia Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Adlts | Interface | Niveis Profundos Dx | Semicondutores

Resumo

Theoretical and experimental bases of a differential admittance spectroscopy (DAS) and a photodifferential admittance spectroscopy (PDAS) of Deep levels (DL) on thin semiconductor layers are proposed to be elaborated. It is supposed to investigate the DX Center in epitaxial structures such as GaAs and AlGaAs multiquantum well grown by MBE. (AU)