| Processo: | 96/07183-6 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional |
| Data de Início da vigência: | 27 de julho de 1997 |
| Data de Término da vigência: | 19 de setembro de 1997 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Ines Pereyra |
| Beneficiário: | Ines Pereyra |
| Pesquisador visitante: | Magali Estrada Del Cueto |
| Instituição do Pesquisador Visitante: | Instituto Politécnico Nacional (IPN), México |
| Instituição Sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Sensores Filmes finos Intercâmbio de pesquisadores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Diodos Pin | Oxido De Silicio | Sensores De Radiacao | Silicio Amorfo | Transitores De Filme Fino |
Resumo
O projeto visa à fabricação de detectores de radiação de estrutura pin feitos integralmente em silício amorfo. Nesta primeira etapa serão desenvolvidas películas de silício amorfo espessas (200 m) e transistores de filme fino compatíveis com o processo de fabricação dos sensores. Será também ministrado o curso: "aplicação de curvas cvs.V À caracterização de dielétrico/semicondutor". (AU)
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