Kvon Ze Don | Novosibirsky State University - Rússia

• Processo: 07/07953-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2008
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2008
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física das Partículas Elementares e Campos
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Pesquisador visitante: Kvon Ze Don
• Instituição do Pesquisador Visitante: Novosibirsk State University (NSU), Rússia
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Poços quânticos Spin Spintrônica Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Egte | Pocos Quanticos | Spin | Ciências exatas e da terra

Resumo

A visita do Dr. Z.D. Kvon será muito útil para continuarmos uma colaboração a longo prazo entre Novosibirsk e os diferentes grupos dedicados ao estudo dos sistemas nanoestruturados no Brasil. Entre estes grupos estão o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (LNMS-IFUSP), também grupos teóricos e experimentais da Universidade Federal de São Carlos, do Instituto de Física de São Carlos-USP e outros. Como líder do LNMS do IFUSP, tenho desenvolvido vários projetos importantes, entre os quais o internacional CNPq-NSF. O objetivo geral do projeto é estudar nanoestruturas semicondutoras para aplicações em spintrõnica. Nós estamos propondo pesquisar esses efeitos em poços quânticos de HgTe crescidos no Instituto de Física de Semicondutores, Novosibirsk. Nossa pesquisa aponta na direção de uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados no spin. A discussão dos problemas físicos e tecnológicos relacionados à fabricação de tais sistemas no IFUSP e nos outros laboratórios e as medidas que serão realizadas no LNMS-IFUSP poderão acelerar o desenvolvimento da spintrônica no Brasil. (AU)