Isolante topológico em poços quânticos de HgTe: dirigido a novos dispositivos spintrônicos

• Processo: 10/10097-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 29 de outubro de 2010
• Data de Término da vigência: 28 de dezembro de 2010
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Pesquisador visitante: Oleg Aleksandrovich Shegai
• Instituição do Pesquisador Visitante: Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS), Rússia
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Poços quânticos Spintrônica Materiais nanoestruturados Intercâmbio de pesquisadores Colaboração científica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Materiais Semicondutores | Poços Quânticos | Spintrônica | Novos materiais semicondutores

Resumo

A visita do Dr. O.A. Shegai será muito útil para continuarmos uma colaboração em longo prazo entre Novosibirsk e os diferentes grupos dedicados ao estudo dos sistemas nanoestruturados no Brasil. Entre estes grupos estão o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (LNMS-IFUSP), também grupos teóricos e experimentais da Universidade Federal de São Carlos, do Instituto de Física de São Carlos-USP e outros. Como líder do LNMS do IFUSP, tenho desenvolvido vários projetos importantes, entre os quais os internacionais USP-COFECUB, FAPESP-CNRS e CNPq-CIAM. O objetivo geral do projeto é estudar nanoestruturas semicondutoras para aplicações em spintrônica. Estamos propondo pesquisar esses efeitos em poços quânticos de HgTe crescidos no Instituto de Física de Semicondutores, Novosibirsk, nossa pesquisa aponta na direção de uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados no spin. Para ambos os grupos no Brasil e na Rússia, alguns dos benefícios deste projeto são: a evolução no conhecimento da física fundamental relacionada, o desenvolvimento das técnicas de crescimento necessários para produzir novas estruturas como isolantes topológicas e a possível aplicação deste conhecimento e das suas consequências em futuros dispositivos. De forma complementar, a continuidade da colaboração entre as duas instituições deve permitir projetos futuros em comum e a troca de conhecimento e cultura. (AU)