| Processo: | 08/03299-9 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional |
| Data de Início da vigência: | 15 de janeiro de 2009 |
| Data de Término da vigência: | 27 de janeiro de 2009 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Yara Galvão Gobato |
| Beneficiário: | Yara Galvão Gobato |
| Pesquisador visitante: | Mohamed Henini |
| Instituição do Pesquisador Visitante: | University of Nottingham, University Park, Inglaterra |
| Instituição Sede: | Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Spintrônica Semicondutores (físico-química) Heteroestruturas Intercâmbio de pesquisadores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Efeito Tunel Ressonante | Spintronica | semicondutores |
Resumo
A visita do Prof. Henini tem como objetivo desenvolver parte do projeto relativo ao estudo de efeitos de spin em heteroestruturas semicondutoras de tunelamento ressonante. Pretendemos durante essa visita discutir resultados do projeto de colaboração, finalizar artigos, discutir a preparação de novas amostras para esse projeto , realizar algumas medidas preliminares de fotoluminescência em amostras preparadas pelo Prof Henini e também realizar o processamento de tais amostras. (AU)
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