Ray Robert La Pierre | McMaster University - Canadá

• Processo: 11/50084-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2011
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2011
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Iouri Poussep
• Beneficiário: Iouri Poussep
• Pesquisador visitante: Ray Robert La Pierre
• Instituição do Pesquisador Visitante: McMaster University, Canadá
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Heteroestruturas Nanofios Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Epitaxia Molecular | Heteroestruturas | Nano Fios

Resumo

O projeto proposto trata do crescimento de nano-fios de AlGaAs pelo processo auto-catalizado utilizando a máquina da epitaxia de feixes moleculares. O objetivo do projeto é implantar uma nova e moderna tecnologia de fabricação de nano-sistemas semicondutores em nosso laboratório (uma das maiores partes de apresentações no recente congresso "30th International Conference on Physics of Semiconductors" em Seoul foi dedicada à pesquisa de nano-fios crescidos pelo processo auto-catalizado). O Prof. R.R. La Pierre é considerado internacionalmente como um dos melhores experts na área de fabricação de tais sistemas. Desde o ano de 2005 estabelecemos uma produtiva colaboração com o grupo do Prof. R.R. La Pierre na Universidade McMaster, iniciada no projeto CIAM (Proc. 490843/2006-9). O grupo do Prof. R.R. LaPierre contribuiu fundamentalmente no meu projeto atual (Processo FAPESP No. 2009/50407-4) fornecendo amostras (nano-fios heteroestruturas de GaAsP/GaP). Também, para o meu novo projeto, aprovado recentemente (Processo FAPESP No. 2010/51853-5), o grupo do Prof. R.R. La Pierre deve fornecer amostras (nano-fios de GaAs/GaP e InAs/InP heteroestruturados). Usando a visita do Prof. R.R. La Pierre, planejamos aprender o crescimento de tais amostras e, futuramente, continuar a pesquisa na parte de heteroestruturas baseadas em AlGaAs independentemente. (AU)