Desenvolvimento de semicondutores nanoestruturados para utilização em sensores de gases

• Processo: 00/03209-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Edson Roberto Leite
• Beneficiário: Edson Roberto Leite
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanopartículas Semicondutores (físico-química) Sensores de gases
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Nanoparticulas | Semicondutores | Sensores De Gases | Sno2

Resumo

Controle do tamanho de partículas durante a síntese de SnO2 (via precursores poliméricos) através da dopagem. O objetivo é obter partículas nanométricas (<20nm) para aumentar a eficiência do SnO2 como sensor de gases. Para esse controle, pretende-se utilizar um dopante que também auxilie na atividade sensora do SnO2. Com os pós nanométricos, pretende-se desenvolver, a partir da deposição dessas partículas por spin coating, dispositivos sensores baseados em filmes com espessura da ordem de 1 micron (AU)