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Sims analyses of silicon oxynitride films formed by n2+ and no+ implantation.

Processo: 97/06907-3
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 07 de setembro de 1997
Data de Término da vigência: 12 de setembro de 1997
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marcio Alberto Araujo Pudenzi
Beneficiário:Marcio Alberto Araujo Pudenzi
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:92/03453-8 - Tecnologia HBIFET: processo e caracterização, AP.TEM
Assunto(s):Espectrometria de massas  Implantação 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Espectrometria De Massa | Implantacao | Isolante | Material Eletronico | Microeletronico | Oxido
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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