Analysis of self heating effects in graded channel silicon on insulator nmosfets.

• Processo: 06/02906-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 28 de agosto de 2006
• Data de Término da vigência: 01 de setembro de 2006
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Alta temperatura Semicondutores Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: High Temperature | Self Heating | Soi | Transistor | Dispositivos Semicondutores