Selective silicon nitride etching by ecr plasmas using sf6 and nf3 based gas mixtures.

• Processo: 03/08411-8
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Vigência: 02 de novembro de 2003 - 07 de novembro de 2003
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Instituição-sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanotubos de carbono Catalisadores Diamantes CVD Seletividade Nitreto de silício Corrosão