1) characteristics of silicon oxynitrides made by ECR plasmas. 2) radiation hardening of oxynitrides formed by low nitrogen implantation into silicon prior to oxidation

• Processo: 01/00892-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 25 de março de 2001
• Data de Término da vigência: 30 de março de 2001
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Oxidação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Mos | Oxidacao | Oxinitreto | Plasma Tipo Ecr | Radiacao