Analysis of halo implant influence on the self heating and self heating ennhanced impact ionization on 0,13 um floating body partially depleted soi mosfet at low temperature.

• Processo: 02/13166-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 27 de abril de 2003
• Data de Término da vigência: 02 de maio de 2003
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Antonio Pavanello
• Beneficiário: Marcelo Antonio Pavanello
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Assunto(s): Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Analog Design | Low Temperature | Mosfet | Parasitic Effects | Sol Technology | Submicrometer