Formation and characterization of the ni(pt)si and nisi for mos devices applications.

• Processo: 02/06785-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 09 de setembro de 2002
• Data de Término da vigência: 14 de setembro de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Contacts And Interconnection | Ni Silicide | Sisilicidation