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Irradiação por laser de femtossegundos em filmes finos de LaNiO3 depositados por PLD para estudo das propriedades estruturais e físicas para aplicação em memórias ferroelétricas

Processo: 17/23663-6
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 20 de dezembro de 2017
Vigência (Término): 19 de dezembro de 2018
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Elson Longo da Silva
Beneficiário:Leonélio Cichetto Junior
Supervisor no Exterior: Juan Manoel Andres Bort
Instituição-sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Local de pesquisa : Universitat Jaume I, Espanha  
Vinculado à bolsa:14/01371-5 - Obtenção de memórias com LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 utilizando PLD, BP.PD
Assunto(s):Transporte eletrônico   Filmes finos   Deposição por laser pulsado

Resumo

O composto LaNiO3 (LNO) é um interessante material devido a suas promissoras aplicações como eletrodo inferior em vários dispositivos. Recentemente, através da fabricação de filmes finos epitaxiais deste composto, levou a descoberta de propriedades de transporte ainda não bem compreendidas. Além disso, foi relatado recentemente que, a modificação na estequiometria do LNO, como LaNi1.1 O3, mostra uma significante diminuição no valor da resistividade. Neste trabalho é utilizada a técnica de Deposição por Laser Pulsado (PLD) para obter filmes ultrafinos com um controle preciso da espessura dos filmes além de assegurar um crescimento epitaxial do composto LNO em diferentes substratos. Neste trabalho é abordada a interação de um feixe de laser de femtossegundos com tais filmes finos. A interação de um feixe de laser de femtossegundos com materiais permite a formação de nano partículas metálicas em suas estruturas, alterando desta forma a estequiometria, o que neste caso é ideal para aplicação em dispositivos com eletrodos inferiores. Portanto, um estudo detalhado de filmes de LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 depositados pela técnica de PLD e irradiados por um feixe de laser de femtossegundos é de suma importância e relevância para uma melhor compreensão das propriedades físicas e químicas para futuras aplicações como a construção de memorias RAM, ferroelétricas e resistivas.Este trabalho tem a proposta de estudar sistematicamente os efeitos gerados pela irradiação de um feixe de laser de femtossegundos em filmes finos de LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 depositados epitaxialmente pela técnica de PLD. O principal objetivo é entender a nucleação e o crescimento de nano partículas metálicas nas superfícies dos filmes de LNO bem como as mudanças na estequiometria do mesmo. Desta forma é esperado que tais modificações resultem em uma diminuição nos valores das resistividades elétricas desta camada condutora bem como um aumento nas propriedades dielétricas da camada de BaTiO3. Através de técnicas de caracterização como DRX, MEV - EDX, AFM, XPS, microscopia de transmissão eletrônica e medidas de resistividade elétrica em baixas temperaturas podem fornecer uma melhor compreensão das propriedades físicas e químicas envolvidas neste sistema fortemente correlacionado.

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
AMORESI, RAFAEL A. C.; CICHETTO JR, LEONELIO; KUNDU, SWARUP; TEODORO, MARCIO D.; MARQUES, GILMER E.; LONGO, ELSON; ANDRES, JUAN; CHIQUITO, ADENILSON J.; ZAGHETE, MARIA A. Direct preparation of standard functional interfaces in oxide heterostructures for 2DEG analysis through beam-induced platinum contacts. Applied Physics Letters, v. 113, n. 13 SEP 24 2018. Citações Web of Science: 0.

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