Obtenção de memórias com LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 utilizando PLD

• Processo: 14/01371-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2014
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Acordo de Cooperação: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
• Pesquisador responsável: Elson Longo da Silva
• Beneficiário: Leonélio Cichetto Junior
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID
• Bolsa(s) vinculada(s): 17/23663-6 - Irradiação por laser de femtossegundos em filmes finos de LaNiO3 depositados por PLD para estudo das propriedades estruturais e físicas para aplicação em memorias ferroelétricas, BE.EP.PD
• Assunto(s): Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Deposiçao por laser pulsado | Filmes finos | Memórias ferroelétricas | perovskita | Filmes Finos

Resumo

O composto niquelato de lantânio, LaNiO3 (LNO), é um interessante material devido as suas extensas e promissoras aplicações como eletrodo em vários dispositivos. O LaNiO3 sofre uma transição de fase de romboédrica para a fase cúbica em altas temperaturas e, além disso, apresenta um comportamento do tipo metálico e paramagnetismo de Pauli em uma vasta região de temperatura. Recentemente surgiu um enorme interesse na fabricação de filmes finos nanoestruturados com a utilização de cerâmicas policristalinas como o LaNiO3, esta motivação tem levado à descoberta de propriedades ainda não bem compreendidas como o aumento da condutividade, que é ideal para aplicações como eletrodo inferior em dispositivos de memoria e a indicação de supercondutividade em heteroestruturas. Por outro lado, o titanato de bário, BaTiO3, apresenta interessantes propriedades como piezoeletricidade e alto valor de constante dielétrica, podendo ser empregado como dielétrico na fabricação de memórias dielétricas/ferroelétricas. Um estudo detalhado do sistema LaNiO3 e LaNiO3/ BaTiO3, em filmes finos, depositados por uma técnica precisa e confiável é de fundamental importância e relevância para melhor compreensão de suas propriedades físicas e químicas em futuras aplicações como, por exemplo, na construção de materiais fotoluminescentes e memórias FeRAM. Este trabalho visa estudar a deposição de filmes finos do sistema LaNiO3 e LaNiO3/ BaTiO3 fabricados por intermédio da técnica conhecida como Pulsed Laser Deposition (PLD), em diferentes substratos (SrTiO3, MgO, LaAlO3 e SrLaAlO4). Estes materiais serão caracterizados por difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica e medidas de resistividade elétrica a baixas temperaturas que, combinadas, podem fornecer um melhor entendimento das propriedades físicas deste sistema fortemente correlacionado. (AU)

Publicações científicas

(8)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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AMORESI, RAFAEL A. C.; CICHETTO JR, LEONELIO; GOUVEIA, AMANDA F.; COLMENARES, YORMARY N.; TEODORO, MARCIO D.; MARQUES, GILMAR E.; LONGO, ELSON; SIMOES, ALEXANDRE Z.; ANDRES, JUAN; CHIQUITO, ADENILSON J.; et al. Metallic behavior in STO/LAO heterostructures with non-uniformly atomic interfaces. MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS, v. 24, p. 10-pg., 2020-09-01. (17/23663-6, 17/19143-7, 18/01914-0, 13/07296-2, 19/09296-6, 14/01371-5)