Microstructure characterization of agglomerations formed on ni and ni(pt) silicide thin films with sem/eds.

• Processo: 03/02502-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 07 de dezembro de 2003
• Data de Término da vigência: 12 de dezembro de 2003
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): CMOS
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cmos | Fabrication Process | Metal Silicide | Nickel Silicide