Morphological and electrical study of poly-sige alloy deposited by vertical lpcvd.

• Processo: 05/01979-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 04 de setembro de 2005
• Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2005
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao De Filmes | Filmes Finos | Lpcvd | Porta Mos | Sige Poli | Materiais e Componentes Semicondutores