Hydrogenated amorphous silicon nitride: structural and electronic properties.

• Processo: 98/12168-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 30 de novembro de 1998
• Data de Término da vigência: 10 de dezembro de 1998
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Joao Francisco Justo Filho
• Beneficiário: Joao Francisco Justo Filho
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Assunto(s): Semicondutores Amorfos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amorfos | Defeitos Extensos | Semicondutores