Study of the influence of energy and gas flow on the deposition process of silicon oxide film by pecvd-teos.

• Processo: 01/00919-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 05 de março de 2001
• Data de Término da vigência: 09 de março de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ana Neilde Rodrigues da Silva
• Beneficiário: Ana Neilde Rodrigues da Silva
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Diamantes CVD
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cvd | De Silicio | Isolante | Oxido