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Physical reason for the energy gap dispersion of fa$_x$al$_{1-x}$n.

Processo: 06/02064-2
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 10 de julho de 2006
Data de Término da vigência: 28 de julho de 2006
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Lara Kühl Teles
Beneficiário:Lara Kühl Teles
Instituição Sede: Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Nitretos  Termodinâmica 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Ligas Semicondutoras | Nitretos | Termodinamica | Variacao Do Gap De Energia | Física de Semicondutores
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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