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Spatial distribution of oxygen in anodically - grown porous silicon.

Processo: 94/01504-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 28 de agosto de 1994
Data de Término da vigência: 02 de setembro de 1994
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física dos Fluídos, Física de Plasmas e Descargas Elétricas
Pesquisador responsável:Omar Teschke
Beneficiário:Omar Teschke
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Fotoluminescência  Silício poroso 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Anodizacao De Silicio | Fotoluminescencia | Silicio Poroso
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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