Urbach energy parameter of flash evaporated amorphous gallium arsenide films.

• Processo: 01/08005-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 27 de agosto de 2001
• Data de Término da vigência: 04 de setembro de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Jose Humberto Dias da Silva
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/06278-6 - Otimização dos processos de preparação de semicondutores amorfos do tipo III-V, AP.JP
• Assunto(s): Semicondutores Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Borda De Absorcao | Evaporacao Flash | Filmes Finos | Gaas Amorfo | Semicondutores