The vertical electrical Conductivity studied by Raman Scattering in the gaas/aias and delta doped GaAs superlattices

• Processo: 00/06185-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 20 de agosto de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de agosto de 2000
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Claudio Galzerani
• Beneficiário: Jose Claudio Galzerani
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Condutividade elétrica Plasmons Fônons
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Condutividade | Fonon | Plasmon | Raman | Semicondutor | Superrede