Silicon etch stopping on ga doped layers.

• Processo: 95/01420-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 25 de junho de 1995
• Data de Término da vigência: 29 de junho de 1995
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: José Roberto Sbragia Senna
• Beneficiário: José Roberto Sbragia Senna
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Etch Stop | Ga Doped Silicon | Gallium Doping | Koh Etching | Silicon Etching