Ecr-cvd sinx passivation in gaas-based devices.

• Processo: 05/02016-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 04 de setembro de 2005
• Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2005
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jose Alexandre Diniz
• Beneficiário: Jose Alexandre Diniz
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Passivação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Hbt | Nitreto De Si | Passivacao | Plasma Ecr | Materiais e Componentes Eletrônicos