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Below gap excitation of optical processes in amorphus semiconductors
| Processo: | 97/06147-9 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil |
| Data de Início da vigência: | 14 de setembro de 1997 |
| Data de Término da vigência: | 20 de setembro de 1997 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Carmen Silvia de Moya Partiti |
| Beneficiário: | Carmen Silvia de Moya Partiti |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Amorphous Alloy | Annealing | Crystallization Temperature | Debye Temperature | Sods | Structural Relaxation |
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio: |
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