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1) mechanism of hydrogen oxidation and silicon dissolution in the formation of porous silicon.

Processo: 96/04576-7
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1996
Data de Término da vigência: 06 de setembro de 1996
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
Pesquisador responsável:David Mendez Soares
Beneficiário:David Mendez Soares
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Processo sol-gel  Mudança de fase  Silício poroso 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Hydrogen Oxidation | Phase Change | Porous Silicon | Quartz Crystal | Silicon Dissolution | Sol-Gel
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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