Phase separation suppression in ingan alloys due to biaxial strain.

• Processo: 00/07618-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 17 de setembro de 2000
• Data de Término da vigência: 27 de setembro de 2000
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Américo Sheitiro Tabata
• Beneficiário: Américo Sheitiro Tabata
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Vinculado ao auxílio: 97/06132-1 - Estudo de propriedades eletroópticas no sistema conjunto GaAs/GaAlAs/InGaAs elaborado por epitaxia por feixe molecular, AP.JP
• Assunto(s): Espectroscopia Raman
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Aigan | Ingan | Nitrides | Raman Spectroscopy