Influence of gap interlayer oh the optical properties of gaas/ingap single quantum well grown by mocvd.

• Processo: 04/04539-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 19 de julho de 2004
• Data de Término da vigência: 23 de julho de 2004
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Américo Sheitiro Tabata
• Beneficiário: Américo Sheitiro Tabata
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Interface Superfícies Fotoluminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotoluminescencia | Ingap/Gaas | Inter Camada | Interface | Semicondutores | Superficie