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Comparison between the leakage drain current behavior in soi pmosfets and soi nmosfets operating at 300 graus c.

Processo: 03/08080-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
Data de Início da vigência: 08 de setembro de 2003
Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2003
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Marcello Bellodi
Beneficiário:Marcello Bellodi
Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Assunto(s):Alta temperatura 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Boi Mosfet | Electrical Characterization | Graded Channel | High Temperature | Leakage Current | Modeling
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