High quality teos silicon oxide deposited at low temperature for tft gate dielectric application.

• Processo: 02/08401-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 20 de outubro de 2002
• Data de Término da vigência: 25 de outubro de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Nilton Itiro Morimoto
• Beneficiário: Nilton Itiro Morimoto
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Hd-Pecvd | Pecvd | Silicon Oxide | Teos | Tft