Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using soi-nmos gate capacitor.

• Processo: 02/04873-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 09 de setembro de 2002
• Data de Término da vigência: 14 de setembro de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Victor Sonnenberg
• Beneficiário: Victor Sonnenberg
• Instituição Sede: Faculdade de Tecnologia São Paulo (FATEC São Paulo). Centro Paula Souza (CEETEPS). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitance | Doping Concentration | Eletrical Characterization | Oxide Charge Density | Soi Capacitor