Aluminum doping of a-ge:h.

• Processo: 92/03528-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 14 de novembro de 1992
• Data de Término da vigência: 21 de novembro de 1992
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Leandro Russovski Tessler
• Beneficiário: Leandro Russovski Tessler
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Dopagem eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dopagem | Germanio Amorfo Hidrogenado | Ligas Amorfas Hidrogenadas | Propiedades Amorfas | Semicondutores