One-step silicon nitride passivation by ECR-CVD for heterostructure transistors and MIS devices

• Processo: 99/00946-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 05 de abril de 1999
• Data de Término da vigência: 12 de abril de 1999
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações
• Pesquisador responsável: Luiz Eugenio Monteiro de Barros Junior
• Beneficiário: Luiz Eugenio Monteiro de Barros Junior
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Assunto(s): Nitreto de silício Transistores Eventos científicos e de divulgação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ecr-Cvd | Hbt | Mis | Passivation | Silicon Nitride