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Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas.

Processo: 95/00220-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 05 de abril de 1995
Data de Término da vigência: 07 de abril de 1995
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Patrick Bernard Verdonck
Beneficiário:Patrick Bernard Verdonck
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Microeletrônica  Corrosão por plasma  Contaminação 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Contaminacao | Corrosao Por Plasma | Microeletronica | Trincheiras Em Silicio
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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