Electric characterization of ingan quantum well p-n heterostructures.

• Processo: 02/09320-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 08 de dezembro de 2002
• Data de Término da vigência: 13 de dezembro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Juan Carlos Gonzalez Perez
• Beneficiário: Juan Carlos Gonzalez Perez
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Assunto(s): LED GAN
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ebic | Efm | Gan | In Gan | Led | Stem