1) column iii and v elements as substitutional doapants in a-ge:h. 2) laser crystallization and structuring of a-ge.

• Processo: 97/04852-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 25 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 29 de agosto de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ivan Emilio Chambouleyron
• Beneficiário: Ivan Emilio Chambouleyron
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Cristalização Dopagem eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cristalizacao | Dopagem | Germanio Amorfo