Relaxation effects on the negatively charged mg impurity in zinc blende GaN

• Processo: 99/04071-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 05 de julho de 1999
• Data de Término da vigência: 07 de agosto de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: José Roberto Leite
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Nitretos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Fonos | Ligas | Nitretos Semicondutores