The influence of the interface trap densities on the extraction of the silicon film and front oxide thickness of soi nmos devices at low temperatures.

• Processo: 02/06043-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 09 de setembro de 2002
• Data de Término da vigência: 14 de setembro de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Aparecido Sirley Nicolett
• Beneficiário: Aparecido Sirley Nicolett
• Instituição Sede: Faculdade de Tecnologia São Paulo (FATEC São Paulo). Centro Paula Souza (CEETEPS). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Extraction Method | Interface Trap Densities | Low Temperature | Soi Mosfets