Estudo de processo de crescimento de compostos III-V por epitaxia de feixe químico e sua aplicação em dispositivos óticos de guias de onda

• Processo: 94/00538-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 1995
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Navin Bhailalbhai Patel
• Beneficiário: Navin Bhailalbhai Patel
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Auxílio(s) vinculado(s): 96/00952-4 - Effect of kinetics on the nucleation of thin inas films on inp by chemical beam epitaxy., AR.EXT
• Bolsa(s) vinculada(s): 97/01277-1 - Estudo da formação e controle de interfaces no crescimento de compostos III-V por epitaxia de feixe químico, BP.TT
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Óptica não linear
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Compostos Iii-V | Crescimento Epitaxial | Guias De Onda | Otica Nao Linear

Resumo

Este projeto consiste em estudar os processos superficiais que ocorrem no crescimento de compostos III/V no sistema Chemical Beam Epitaxy. Como consequência do nosso trabalho esperamos: a) entender o processo de crescimento, particularmente os efeitos que determinam a morfologia e rugosidade das superfícies e interfaces; b) aplicar este entendimento, usando o sistema de crescimento epitaxial disponível para nossa equipe, para obter estruturas com qualidade superior ao estado da arte atual. Planejamos enfatizar o estudo da formação das interfaces pela análise da dinâmica do crescimento epitaxial através de técnicas que dão acesso à estrutura da superfície com resolução atômica como microscopia de força atômica e tunelamento. Uma visão mais geral do crescimento pode ser construída a partir da compilação dos resultados deste tipo de análise para sequências de amostras, onde parâmetros importantes de crescimento são variados de forma sistemática. Por outro lado, o modelamento da dinâmica de crescimento é um problema envolvente porque vários processos superficiais competem para determinar a estrutura final. A informação experimental sobre esta estrutura será comparada com o resultado de uma simulação Monte Carlo onde os processos supostamente relevantes são considerados. (AU)