| Processo: | 05/54252-4 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado Direto |
| Data de Início da vigência: | 01 de agosto de 2005 |
| Data de Término da vigência: | 30 de junho de 2008 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos |
| Pesquisador responsável: | Vladimir Jesus Trava-Airoldi |
| Beneficiário: | Luís Francisco Bonetti |
| Instituição Sede: | Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). São José dos Campos , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 01/11619-4 - Novos materiais, estudos e aplicações inovadoras em diamante-CVD e diamond-like carbon (DLC), AP.TEM |
| Assunto(s): | Filmes finos de carbono tipo diamante (DLC) Dureza |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Aderencia | Dlc | Dureza | Feixes De Ions | Filmes Finos | Interface |
Resumo Neste trabalho de Doutorado Direto, será tratado da obtenção de filmes finos de DLC (diamond like carbon) com alta aderência e alta dureza em substratos metálicos utilizando-se geradores de feixes de íons com e sem grades aceleradoras. Estes filmes já estão sendo estudados em nossa equipe utilizando outras técnicas de crescimento, entre elas a descarga de RF 13.56 MHz, e cujos resultados inspirou um avanço para técnicas mais complexas, como as técnicas de feixes de íons do tipo Kaufman e End Hall. Será estudada a otimização dos parâmetros de crescimento destes filmes do ponto de vista científico e tecnológico, para a sua utilização em aplicações espaciais e industriais. Parâmetros como dureza, aderência, coeficiente de atrito, tensões internas e externas serão estudadas como função tanto dos parâmetros de geração dos feixes de íons como, também, dos parâmetros de obtenção da interface de silício entre os substratos e o filme de DLC. Caracterizações tais como microscopia eletrônica de varredura (MEV), Espectroscopia de Espalhamento Raman, Micro-indentação, Perfilomentria e Microscopia de Força Atômica (AFM). Serão usadas para análises de morfologia, qualidade, dureza, tensões/espessuras e coeficiente de atrito, respectivamente. Ainda, em termos de caracterizações, está previsto o uso da técnica XPS para estudar as características das interfaces produzidas. (AU) | |
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