Estudo da formação e controle de interfaces no crescimento de compostos III-V por epitaxia de feixe químico

• Processo: 97/01277-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Programa Capacitação - Treinamento Técnico
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Navin Bhailalbhai Patel
• Beneficiário: Hugo Bonette de Carvalho
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 94/00538-8 - Estudo de processo de crescimento de compostos III-V por epitaxia de feixe químico e sua aplicação em dispositivos óticos de guias de onda, AP.TEM
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular