Controle efetivo dos parametros de deposicao de filmes hetero epitaxiais de gan e ga(1-x)mn(x)n preparados por rf magnetron sputtering.

• Processo: 06/05384-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Programa Capacitação - Treinamento Técnico
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2007
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Adriano Vieira de Carvalho
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 05/02249-0 - Controle dos parâmetros de deposição de filmes hetero-epitaxiais de GaN e Ga(1-x)Mn(x)N preparados por RF magnetron sputtering, AP.R
• Assunto(s): Pulverização catódica Deposição de filmes finos GAN
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização de filmes semicondutores | Deposição de Filmes | Filmes semicondutores | GaMnN | GaN | RF magnetron sputtering | Preparação de Filmes Semicondutores

Resumo

O bolsista dará continuidade à sua efetiva participação nas modificações técnicas previstas no Projeto Fapesp (2005/02249-0) e na operação do sistema de RF magnetron sputtering dedicado à deposição de filmes de GaN e GaMnN. Participará no planejamento e dimensionamento dos detalhes técnicos das modificações do sistema, auxiliará e acompanhará a construção dos novos componentes, realizará testes das modificações, e utilizará o sistema modificado para preparar os filmes de interesse, complementando a experiência adquirida no período de 8 meses em que atuou como bolsista Fapesp TT-1 ( proc. nº 2006/00429-3).As principais implementações do sistema que contarão com o auxílio do bolsista serão: (i) instalação de novo porta substratos com controles de temperatura (até 900°C) e polarização; (ii) instalação de nova linha de N2 de alta pureza com controle eletrônico de fluxo; (iii) instalação de analisador de gases residuais; (iv) instalação e testes de fonte de alta tensão para controle da polarização dos substratos.Os principais testes a serem realizados no sistema serão: (a) tempo de aquecimento e de uniformidade de temperatura do novo porta-substratos; (b) testes de limpeza e vazamentos no porta substratos e na nova linha de gás; (c) testes de plasma em relação a fluxos de gases, pressões parciais e polarização dos substratos; (d) testes preliminares de deposição de filmes nas novas condições. Após os testes das modificações o bolsista auxiliará na preparação de filmes em condições controladas, e auxiliará na confecção de manuais de operação para a nova configuração do sistema de sputtering.A atuação do bolsista compreenderá aspectos práticos e teóricos. Os aspectos práticos relacionam-se a tecnologia de vácuo, de controle de fluxos de gases, e controle efetivo de parâmetros de deposição de filmes finos. Os estudos teóricos compreenderão aspectos de física de descargas elétricas em gases, circuitos elétricos de rádio freqüência e processos de crescimento de filmes finos.Nosso objetivo é que ao final do projeto o bolsista tenha adquirido excelente grau de compreensão sobre técnicas importantes relacionadas à preparação de filmes semicondutores e que tenha colaborado significativamente para a implementação do projeto